SanDisk, en colaboración con Toshiba, ha anunciado en el International Solid-State Circuits Conference su último desarrollo para las memorias que combina la tecnología X3 a 32 nanómetros. Las nuevas células multi-nivel NAND flash está diseñado para ofrecer la capacidad de hasta 32 GB con tres bits por celda de memoria, todo en un paquete lo suficientemente pequeño para adaptarse a la tarjeta de memoria microSD.La empresa explico acerca de los detalles que se podrian obtener bajo X3 32nm ofreciendo una mayor densidad y duplicando la capacidad de un chip microSD que utiliza la tecnología de 43nm. El uso de memorias microSD ha aumentado proporcionalmente en los ultimos años y su mayor uso se ha dado en los teléfonos móviles o reproductores multimedia que ofrecen gran capacidad de almacenamiento.
SanDisk y Toshiba anunció tambien los planes para desarrollar una memoria flash de almacenamiento NAND, X4. La tecnología utiliza un nuevo controlador de memoria y se ajuste a cuatro bits de datos en cada célula, al tiempo que mantiene la velocidad de transferencia de 7.8MB por segundo. Los componentes pueden ser utilizados para impulsar capacidades de hasta 64GB, doblando el tamaño de los paquetes de 32 GB que Toshiba comenzó a producir a finales del año pasado.
El plan de las dos empresas es empezar a vender en el mercado las X3 32nm con 32GB de memoria para el segundo semestre del 2009. Aunque los fabricantes aún no han anunciado las posibles aplicaciones de terceros, Toshiba ha suministrado componentes de memoria a Apple para su uso en el iPhone o el iPod touch.
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